时间：2025/5/8 19:28:55
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GT5-1P-DS 70是一种高性能的功率MOSFET晶体管，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种功率变换电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号：GT5-1P-DS 70
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压：70V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：5A
导通电阻：40mΩ（典型值）
总栅极电荷：30nC（最大值）
输入电容：1000pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. GT5-1P-DS 70采用了最新的半导体技术设计，具有非常低的导通电阻，从而减少了功率损耗。
2. 其快速的开关速度使得该器件非常适合高频应用，可显著降低开关损耗。
3. 内置反向恢复二极管进一步优化了其在同步整流和续流二极管应用中的性能。
4. 高度稳定的电气特性确保其在极端温度条件下的可靠性。
5. 小尺寸封装使其易于集成到紧凑型电路设计中。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理及保护电路
5. 各类工业自动化设备
6. 汽车电子中的负载切换
IRFZ44N, FDP5800, STP55NF06
